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BUP306D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
BUP306D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 21A, d´application: tipo universale, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per BUP306D
OEM:Siemens AG
copertura: TO-3P
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:-
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MGW12N120D


SI N-IGBT transistor
similar to BUP306D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
MGW12N120D è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, d´application: transistor di potenza (tipo universale), diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
copertura: TO-247
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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